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[原创] Wafer fab中Reticle的静电损坏问题

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发表于 2017-11-7 15:53:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
Reticle在Wafer fab中的角色
  Photolithography(简称PHOTO,光刻),是半导体Wafer fab中最为核心技术的生产工序段。
  Reticle,也称为photo mask(光罩),则是PHOTO工序必不可缺少的关键工具。Reticle的自身完好性,对wafer线路光刻的精准性起着决定性的作用。
图1. Reticle在wafer Fab PHOTO中的作用图示
图2. 用于wafer fab的Reticle
Reticle的静电敏感性
  由于wafer制程的精细程度持续提高,reticle对静电的敏感型也持续上升。相关业内的实践经验分析与相关研究表明,用于180nm制程的reticle已经表现出不可忽视的静电敏感特性。
图3.Reticle chrome线路遭受多次ESD的损坏症状(光学显微镜)
Reticle静电损坏对wafer fab的价值
  Reticle受到静电的影响,尤其是发生chrome pattern CD(Critical Dimension,关键尺寸)的偏移(较强的ESD),可能直接导致PHOTO后的wafer报废。
  由于当前wafer制程的高精细度,reticle chrome pattern必须经过高分辨率的电子显微镜才可发现CD的异常,就会使得异常的reticle不能被及时发现。而同时加上wafer fab制程的高度自动化生产,reticle的损坏延迟1小时被发现,可能导致的wafer坏品损失轻松高达几十万、上百万。
  鉴于当前集成电路产业的快速发展与激烈竞争,静电防护对wafer fab企业生产成本控制的现实意义越发凸现。而Reticle的静电防护仍是一个比较细分的静电控制领域,也是一个业内认识范围比较小的领域。但其静电防护的现实意义,确是愈发渐大的领域。

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